为 a*b*c，谐振杆外半径为 Rout，内半径为 Rin，调谐螺杆半径为 Rsc，则调谐螺杆与谐振杆内壁之间的间隔 d1＝Rin-Rsc，谐振杆盘面与盖板间隔为 d2。众所

  振杆内壁与调谐螺杆之间，必要时还需求考虑到谐振杆盘与侧壁之间的电场（单腔较小频率较低时） 。由于“木桶”效应，单纯添加一个区域的功率容量（便是下降这个区域的电场强度）是不能起到添加单腔功率容量的意图的，要一起使两个区域的电场强度都比较小，才能使单腔更不简单打火。首要考虑谐振杆盘面与盖板之间的电场， 如图能够看见某个时间谐振杆盘面与盖板之间的电场散布。

  2.当频率较高（高于 1.8G） ，谐振杆盘面较小时，盘外表的电场会比盖板面上的

  的散布显着不均匀，越接近调谐螺杆外表，电力线越密布，也便是电场越强。在

  调谐螺杆外表， 电场最强。 由于谐振杆内壁的电力线简直都间断在调谐螺杆外表，

  螺杆（Ssc） ，Esc/Ein＝Sin/Ssc＝2*pi*Rin/2*pi*Rsc＝Rin/Rsc。即两者电场之比为两半径之比的倒数。从上面的剖析能够精确的看出， 两个区域电场最强的点分别在谐振杆上外表和调谐螺杆外表。 在此咱们剖析这两者之间的联系， 当这两个电场最强点的电场持平时，这两块区域就一起到达了最大的功率容量，因而该单腔就能到达最大的功率容

  面的线积分和沿着谐振杆内外表到螺杆外表的线积分持平，均为 V。考虑两种状况：1. 频率较低，谐振杆盘面较大时，谐振杆盘面到盖板间的电场强度为稳定值 Eup，则 V＝Eup*d2＝（Esc+Ein）/2*d1，Eup*d2＝（Rsc/Rin*Esc+Esc）/2*d1＝Esc*（Rsc+Rin）/（2Rin）*d1

  d2＝（Rsc+Rin）/（2Rin）*d1上式即为该条件下要使单腔功率容量最大所需求满意的等式。举个比如，谐振杆盘面间隔盖板 3mm，调谐螺杆直径为 4mm，由上面的等式咱们咱们能够核算得到内径的最佳值。3＝（2+Rin）/（2Rin）*（Rin-2）

  得到 Rin＝6.6mm（约） ，即谐振杆内径最佳值为 13.2mm。注：上面各等式均要求在满意单腔谐振频率的要求。

  d2（Rsc+Rin）/（2Rin）*d1因而，在上面的比如中，假如谐振杆盘面很小，则谐振杆内径最佳值应为Rin略小于 6.6mm。

  间的间隔，一起，要尽量满意以下等式：d2＝（Rsc+Rin）/（2Rin）

  2. 频率较高时，咱们要尽量把谐振杆的盘加大，尽量使谐振杆盘面上的电场均匀，一起满意 d2(Rsc+Rin)/(2Rin)*d1。

  4. 假如已然显现打火，改善功率时，不能一味的加大谐振杆与盖板之间的间隔，由于假如不改善谐振杆内径尺度，调谐螺杆相同简单打火。